p-GaN表面Ni／Au电极欧姆接触特性的Pt^＋注入改性研究

来源 :功能材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户：weiyuanbin

【摘要】

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对p-GaN／Ni／Au（5／10nm）界面处进行Pt^＋注入，注入后的样品在空气中快速热退火处理5min，发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善，接触电阻率从10^-1Ω·cm^2数量级降低到1

【作者】

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李鸿渐石瑛赵世荣何庆尧蒋昌忠

【机构】

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武汉大学物理科学与技术学院

【出处】

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功能材料

【发表日期】

：

2009年7期

【关键词】

：

P-GAN 欧姆接触离子注入退火 p-GaN ohmic contact ion implantation annealing

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对p-GaN／Ni／Au（5／10nm）界面处进行Pt^＋注入，注入后的样品在空气中快速热退火处理5min，发现金属电极和p-GaN的欧姆接触特性得到明显的改善，接触电阻率从10^-1Ω·cm^2数量级降低到10^-3Ω·cm^2数量级。通过研究在不同Pt^＋注入剂量（5×10^15、1×10^16、2×10^16cm^-2）和退火温度下接触电阻率的变化规律。在Pt^＋注入剂量为1×10^16cm^-2，300℃空气氛围中退火得到了最低的接触电阻

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