【摘 要】
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980 nm InGaAs/GaAs separate confinement heterostructure (SCH) strained quantum well (QW) laser with non-absorbing facets was fabricated by using thermal treatme
【出 处】
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Journal of Materials Science & Technology
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980 nm InGaAs/GaAs separate confinement heterostructure (SCH) strained quantum well (QW) laser with non-absorbing facets was fabricated by using thermal treatment. MicroChannel coolers with a five-layer thin oxygen-free copper plate structure were designed and fabricated through thermal bonding in hydrogen ambient. The highest CW (continuous wave) output power of 200 W for 5-bar arrays packaged by microchannel coolers was presented.
980 nm InGaAs / GaAs separate confinement heterostructure (SCH) strained quantum well (QW) laser with non-absorbing facets was fabricated by using thermal treatment. MicroChannel coolers with a five-layer thin oxygen-free copper plate structure were designed and fabricated through thermal bonding in hydrogen ambient. The highest CW (continuous wave) output power of 200 W for 5-bar arrays packaged by microchannel coolers was presented.
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