具有高电子迁移率的β铁硅化物连续膜

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日本筑波大学研制成功 β铁硅化物连续膜 ,其电子迁移率为目前多层膜的数倍甚至数十倍 ,接近理论极限。该多层膜制备时在FZ硅 ( 0 0 1)基板用RDE法形成β FeSi2 外延层 ,其上为硅 ( 1 6nm) /铁 ( 0 5nm)交替积层达 4 5组层。以往多层膜在热处理时会出现层间的凝 Japan’s Tsukuba University successfully developed beta iron silicide continuous film, the electron mobility of the current multi-layered film several times or even several times, close to the theoretical limit. The multi-layer film was formed on the FZ silicon (0 0 1) substrate by the RDE method to form a β FeSi2 epitaxial layer on which 40 layers of silicon (16 nm) / iron (0 5 nm) were alternately laminated. In the past multi-layer film in the heat treatment will occur when the condensation between the layers
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