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研究了纳米尺寸Si结构的热稳定性.采用Ga聚焦离子束技术在单晶硅表面刻蚀出纳米尺寸的条形光栅结构,在流动的Ar气氛保护下进行恒温热退火,用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析了热退火后的结构变化.实验结果表明在较高的退火温度下纳米尺寸的硅结构是不稳定的,其尺寸由于热扩散而变小,同时在Si表面有镓析出并形成纳米颗粒.