90nm集成电路工艺进入量产

来源 :世界产品与技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wdw_king

【摘要】

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<正> 根据半导体工业协会(SIA)发表的ITRS(国际半导体技术发展蓝图)2002年修订版显示,21世纪集成电路工艺将告别早期的微米(1μm)制程,进入了纳米(100nm)制程(如图1所示)。其

【作者】

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成思进

【出处】

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世界产品与技术

【发表日期】

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2003年10期

【关键词】

：

90nm集成电路发展状况美国中国台湾日本韩国

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<正> 根据半导体工业协会(SIA)发表的ITRS(国际半导体技术发展蓝图)2002年修订版显示,21世纪集成电路工艺将告别早期的微米(1μm)制程,进入了纳米(100nm)制程(如图1所示)。其中,DRAM存储器在2003年,MPU处理器在2004年初相继实现线宽100nm的工艺,并且两种最高集成度的IC都在2004年中实现线宽90nm的工艺。到

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