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本文报导以国产三甲基铟（TMIn）和进口的磷烷（PH<sub>3</sub>）为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积（LP-MOCVD）方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和光学特性.
LP—MOCVD法制备高质量InP薄膜
【摘 要】
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本文报导以国产三甲基铟（TMIn）和进口的磷烷（PH<sub>3</sub>）为源,采用低压金属有机化合物化学气相沉积（LP-MOCVD）方法,在InP衬底上生长高质量InP的工艺条件以及外延层的电学特性和
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区吉林大学电子科学系,长春130023,吉林大学电子科学系,长春130023
【出 处】
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吉林大学自然科学学报
【发表日期】
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1993年2期
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