采用热压成型工艺，制备用于中子屏蔽的碳化硼/超高分子量聚乙烯(UHMWPE)复合材料，研究了热压温度、硅烷偶联剂添加量、碳化硼含量对材料的冲击强度、弯曲强度等性能的影响，通过FTIR，SEM及能谱分析偶联剂添加效果。同时研究了碳化硼含量对材料中子屏蔽效率的影响。结果表明，当成型温度小于200℃时，温度的提高对材料力学性能有提高作用;KH570硅烷偶联剂对碳化硼有较好的偶联作用，适当添加KH570增强了碳化硼与UHMWPE之间的结合力，当添加量超过3％(质量分数，下同)后，偶联剂在碳化硼表面形成多余吸附层，减弱了基体与颗粒之间的结合力，降低了冲击强度;碳化硼含量提高，颗粒的团聚增加，大颗粒在基体中形成缺陷，导致材料脆性增加，降低了材料冲击强度；中子衰减系数随碳化硼含量增加而提高，随样品厚度的增加而减小；样品厚度较薄时，材料主要吸收热中子，当样品厚度增加时，快中子在材料内部发生多次碰撞，能量降低后也被吸收掉。