【摘 要】
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本文以X37为例,根据高可靠高频集成电路的特点,分析了钠离子沾污的物理机理,提出了不同于常规作法的PSG-SiO_2钝化工艺,说明了具体作法和临界工艺条件,以及在高频电路上所得
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本文以X37为例,根据高可靠高频集成电路的特点,分析了钠离子沾污的物理机理,提出了不同于常规作法的PSG-SiO_2钝化工艺,说明了具体作法和临界工艺条件,以及在高频电路上所得到的良好结果。
In this paper, X37 is taken as an example to analyze the physical mechanism of sodium ion contamination according to the characteristics of highly reliable high frequency integrated circuits. The passivation process of PSG-SiO_2, which is different from the conventional method, is proposed. The specific practices and critical process conditions are described. Good results on high frequency circuits.
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