【摘 要】
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利用单能慢正电子束流,对原生的和经过电子辐照的6H-SiC内的缺陷形成及其退火行为进行研究.发现在n型6H-SiC中,经过退火后缺陷浓度降低.这主要是因为在退火过程中缺陷和间隙
【机 构】
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南京邮电大学应用物理系,南京,210003;中国科学技术大学近代物理系,合肥,230026
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利用单能慢正电子束流,对原生的和经过电子辐照的6H-SiC内的缺陷形成及其退火行为进行研究.发现在n型6H-SiC中,经过退火后缺陷浓度降低.这主要是因为在退火过程中缺陷和间隙子的相互作用所引起.n型6H-Si经过1400℃、30 min真空退火后,在SiC表面形成一个大约20 nm的Si层,这是在高温退火过程中Si原子向表面逸出的有力证明.在高温退火中,在样品的近表面区域有一个明显的表面效应,既在这些区域的S参数整体较大,这种现象与高温退火中Si不断向表面逸出有关.经过10 MeV的电子辐照,在n型6H-SiC中,正电子有效扩散长度从86.2 nm减少至39.1 nm,说明在样品中由于电子辐照产生大量缺陷.但是对p型6H-SiC,经过10 MeV电子辐照后有效扩散长度变化不大,这与其中缺陷的正电性有关.同时还对n型6H-SiC进行了1.8 MeV电了辐照后的300℃退火实验,发现退火后缺陷浓度/不减反增,这主要是因为在退火过程中,一些双空位缺陷和Si间隙了互相作用从而产生了VC缺陷的缘故.
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