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导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET测试中的难点,为了保证测量准确性,必须采用开尔文测量.在晶圆测试中,由于MOSFET的漏极与探针台载片台相连,无法真正实现开尔文测量,影响导通电阻测量精度.本文介绍了一种双芯测量方案,可以实现MOSFET晶圆导通电阻的精确测量.
MOSFET晶圆导通电阻的双芯测量方案简介
【摘 要】
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导通电阻的准确测量是低导通电阻MOSFET测试中的难点,为了保证测量准确性,必须采用开尔文测量.在晶圆测试中,由于MOSFET的漏极与探针台载片台相连,无法真正实现开尔文测量,影
【机 构】
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310000,杭州长川科技股份有限公司 浙江 杭州
【出 处】
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数字化用户
【发表日期】
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2019年8期
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