【摘 要】
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建立了绝缘电阻大于 1 0 13Ω和温度起伏小于 0 .1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率
【机 构】
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建立了绝缘电阻大于 1 0 13Ω和温度起伏小于 0 .1℃的半绝缘砷化镓Hall测量装置。研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响 ,并讨论了各种因素所引起的测量误差。
A semi-insulating gallium arsenide Hall measuring device with an insulation resistance of more than 10 13 Ω and a temperature fluctuation of less than 0.1 ° C. was established. The effects of environmental temperature, humidity, leakage current, data reading time, measuring voltage and sample size on the resistivity and mobility were studied. The measurement errors caused by various factors were discussed.
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