32nm CMOS工艺三点翻转自恢复锁存器设计

来源 :电子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：linxain

【摘要】

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CMOS工艺的特征尺寸不断缩减,电荷共享效应诱发的单粒子三点翻转成为研究热点.本文提出了一种单粒子三点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器:Hydra-DICE(Dual Interlocked Storage

【作者】

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黄正峰潘尚杰曹剑飞宋钛欧阳一鸣梁华国倪天明鲁迎

【机构】

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合肥工业大学电子科学与应用物理学院,合肥工业大学计算机与信息学院,安徽工程大学电气工程学院

【出处】

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电子学报

【发表日期】

：

2021年2期

【关键词】

：

锁存器单粒子翻转双模互锁存储单元抗辐射加固自恢复 latch single event upset dual interlocked storage c

【基金项目】

：

国家自然科学基金(No.61874156,No.61874157,No.61904001),安徽省自然科学基金(No.1908085QF272)

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CMOS工艺的特征尺寸不断缩减,电荷共享效应诱发的单粒子三点翻转成为研究热点.本文提出了一种单粒子三点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器:Hydra-DICE(Dual Interlocked Storage Cell).该锁存器基于24个同构的交叉耦合单元(Cross-Coupled Elements,CCE)排列成阵列结构.当内部任意三个节点同时发生单粒子翻转时,该锁存器都可以自行恢复到正确的逻辑值.与具有等效三点自恢复能力的TNURL(Triple Node Upset Self-Recoverable

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