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分子束外延生长Al掺杂n型ZnS1-x Tex的类DX中心

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ersand

【摘 要】

：

应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS1-xTex中与Al有关的类DX中心．实验结果表明，ZnS1-xTex中存在与Ⅲ-Ⅴ族半导体DX中心

【作 者】

：

卢励吾 张砚华 K.K.Mak 

【机 构】

：

中国科学院半导体研究所 半导体材料科学开放实验室,香港科技大学物理系

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

分子束外延 宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体 类DX中心 

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应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS1-xTex中与Al有关的类DX中心．实验结果表明，ZnS1-xTex中存在与Ⅲ-Ⅴ族半导体DX中心相类似的性质．获得与Al有关的类DX中心光离化能Ei(～1.0eV和2.0eV)和发射势垒Ee(0.21eV和0.39eV)，这表明ZnS1-xTex大晶格弛豫的出现是由类DX中心引起．

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