论文部分内容阅读
我国布卷尺行业现状和发展前景
【出 处】
：
五金科技
【发表日期】
：
1991年6期
其他文献
采用1．2μm BiCMOS工艺设制了多相控制器电路，测试结果表明，该控制器符合Intel公司为P4处理器电源制定的VRM9．0标准。
用器件模拟的方法，设计了一种与常规CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器，该探测器可与CMOS接收机电路单片集成，对该探测器进行了器件模拟研究，给出了该探测器的电路模型。通过MOSIS（M
用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对Cd1-xZnxTe晶片中Te沉淀的影响，研究结果表明，红外透射谱只对大尺寸的Te沉淀较为敏感，而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的Te沉淀，两者
研究了热处理对非掺杂n型氮化镓外延层光致发光谱的影响和光谱中各发光带强度与温度之间的关系。热处理后，光谱中的带边峰和黄光峰的强度较热处理前都有明降低。黄光峰强度随
本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性。首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题。研究结果表明，热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因。
制备了多孔氧化铝－３－羟基－２－萘甲酸钠复合发光材料。ＰＬ谱表明３－羟基－２－萘甲酸钠进入氧化铝膜的纳米孔内以后，发光峰相对于其在膜表面有明显蓝移。ＦＴ－ＩＲ谱进一步确认了３－羟基－２－萘甲酸钠进入氧化铝膜孔
对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验。质子辐照的能量为325keV，辐照的剂量为5×10^10-1×10^13cm^-2。实验结果表明，质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性