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在集成电路绝缘氧化层静电放电(ESD)介质击穿物理模型的基础上,讨论并建立了击穿电荷的数学物理模型,给出了击穿电荷与氧化层表面累积电荷密度的关系式.
集成电路ESD介质击穿过程中击穿电荷物理模型研究
【摘 要】
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在集成电路绝缘氧化层静电放电(ESD)介质击穿物理模型的基础上,讨论并建立了击穿电荷的数学物理模型,给出了击穿电荷与氧化层表面累积电荷密度的关系式.
【机 构】
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上海海运学院静电与电磁兼容研究室(上海)
【出 处】
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第十二届华东六省一市物理学联合年会
【发表日期】
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2003年9期
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