【摘 要】
：
碳化硅SiC(silicon carbide)MOSFET作为新型的电力电子器件,具有不同于Si IGBT的电热特性,且其静态特性在宽温度范围内变化特性并不明确。以Si C MOSFET为研究对象,从器件的
【机 构】
：
重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室
论文部分内容阅读
碳化硅SiC(silicon carbide)MOSFET作为新型的电力电子器件,具有不同于Si IGBT的电热特性,且其静态特性在宽温度范围内变化特性并不明确。以Si C MOSFET为研究对象,从器件的工作原理入手,结合Si IGBT对比,分析了其静态特性及寄生参数受温度的影响,并在-55℃至165℃准确测量了包括阈值电压、导通电阻、泄漏电流、输出特性及寄生参数在内的多个参数,实验结果符合理论分析。根据实验结果分析了各项性能参数的温度敏感性,结果表明:Si C MOSFET静态性能及参数与温度具有极强的相关性;与Si IGBT相比,温度依赖性更为明显,并且能够为器件结温测量及Si C MOSFET电力电子系统状态监测提供理论依据与实验基础。
其他文献
【摘要】目的：观察腹腔镜手术联合药物治疗子宫内膜异位症的臨床疗效。
在以逆变电源为接口的交流微电网中,由于开关器件的过流能力有限,当微电网中发生短路故障时,逆变电源输出的短路电流通常被限制在2倍的额定电流左右,因此,传统基于过电流保护
电站长输水系统排空需要较长的时间,承压隧洞在水压消失后,围岩内水压力变化可能导致失稳,压力钢管在无水状态下的热变形过大时可能导致其出现意外损伤。本文通过分析电站长
锦屏二级水电站发电机转子支架为斜立筋圆盘式焊接结构，分六瓣到货，至工地现场拼焊而成。由于转子主立筋设计强度不够，焊接挡风板时导致转子主立筋半径变小，现需更换主立筋后加强
为保障电力系统安全、稳定、经济运行,各电网调度机构对发电企业提出了两个细则方面的考核要求,旨在提高电网系统的电压及频率质量.“两个细则”中的一次调频主要考核目标为
水轮发电机转子一点接地是水轮发电机运行中的一种常见故障,当发生转子一点接地时,应当及时处理,否则将可能造成励磁回路过热甚至损坏、发电机转子与定子碰撞损坏发电机事故.
南水北调工程是解决国内水资源生产以及分布不均匀的一项战略工程,输水渡槽作为南水北调中线工程中的重要输水建筑物,由于长时间运行,其结构缝处难免存在滲漏水现象。如何在