Mn＋离子注入的GaN薄膜的光学性质及其磁性

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【摘要】

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利用离子注入法将磁性离子Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的GaN薄膜中，获得了稀磁半导体(Ga，Mn)N．光致发光谱结果显示由于Mn的注入，使GaN中常见的黄带发射被大大抑制．在

【作者】

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李杰张荣修向前卢佃清俞慧强顾书林沈波郑有炓

【机构】

：

南京大学物理系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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2003年12期

【关键词】

：

稀磁半导体 DMS GAN薄膜 Mn+ 铁磁性居里转变温度离子注入光学性质光致发光谱 diluted magnetic semiconductor Ga

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利用离子注入法将磁性离子Mn+注入到采用金属有机化学气相沉积法制备的GaN薄膜中，获得了稀磁半导体(Ga，Mn)N．光致发光谱结果显示由于Mn的注入，使GaN中常见的黄带发射被大大抑制．在反射和吸收光谱中，观察到锰引入的新吸收带，分析表明该带是由电荷转移过程和锰引入能级(价带顶上310meV处)的吸收组成的．透射光谱显示(Ga，Mn)N的光学带隙发生了红移，计算表明该红移量为30±5meV．震动样品磁强计的测量结果证实了Mn掺杂的GaN样品在室温下具有铁磁性．

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