【摘 要】
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蒙彼利埃和CNRS(法国)大学的研究人员已经实现了硅衬底上直接外延一体化的一个Ⅲ-Ⅴ半导体激光二极管。该二极管由D’ELECTRONIQUEDUSUD研究所(IES)nanoMIR组制造,在30v的温
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蒙彼利埃和CNRS(法国)大学的研究人员已经实现了硅衬底上直接外延一体化的一个Ⅲ-Ⅴ半导体激光二极管。该二极管由D’ELECTRONIQUEDUSUD研究所(IES)nanoMIR组制造,在30v的温度上,工作在连续波(CW)模式,在2微米波长时,其发射功率是几毫瓦。
Researchers at universities in Montpellier and CNRS (France) have implemented a III-V semiconductor laser diode that is directly epitaxial integrated on a silicon substrate. The diode, manufactured by the D’ELECTRONIQUEDUSUD Institute (IES) nanoMIR group, operates in continuous wave (CW) mode at a temperature of 30V and emits a few milliwatts at 2 micron wavelength.
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