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本文用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术，在普通玻璃衬底、未织构的氧化锌掺铝（AZO）覆盖的普通玻璃衬底和石英衬底上室温下制备了微晶硅薄膜。然后用快速光热退火炉（RTP）在600℃下对样品进行了7min的退火处理，借助Raman和SEM对退火前后硅薄膜微结构进行了研究，并用声子限域理论和纳晶表面效应对实验现象进行了分析。结果表明：（1）薄膜沉积过程中，衬底结构对薄膜微结构有重要影响，相对来说石英衬底上沉积的硅薄膜最容易晶化，其次是玻璃衬底，再其次是未织构的AZO覆盖的玻璃衬底。初步分析认为，主要是