【摘 要】
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采用双弯曲磁过滤阴极真空电弧沉积方法在传感器用P型单晶硅上制备ta-C膜,并通过实验测试的手段研究厚度对其组织及性能的影响.研究结果表明:逐渐延长沉积时间后,沉积速率始
【机 构】
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重庆电信职业学院 重庆400900;重庆城市职业学院 重庆402160
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采用双弯曲磁过滤阴极真空电弧沉积方法在传感器用P型单晶硅上制备ta-C膜,并通过实验测试的手段研究厚度对其组织及性能的影响.研究结果表明:逐渐延长沉积时间后,沉积速率始终保持1.6 nm/min的稳定状态.分别运用椭偏仪和光度计测定ta-C膜的厚度结果基本一致,差值小于2 nm.随着膜厚的增加,sp3C比例发生了减小,原先的sp3结构逐渐转变为sp2结构.当膜厚增大后,ta-C膜内形成了更高比例的sp3C.当膜厚增大后,G峰发生了低位移动,此时膜内的sp3C比例发生了降低.当膜厚增大后,ta-C膜色散值和残余压应力发生了不断减小,表明膜获得了更小的拓扑无序度.不同厚度的涂层粗糙度基本接近,都在0.6 nm以内.膜表面呈现光滑的连续分布形态,粗糙度保持基本恒定.
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