金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响

来源 :集成电路应用 | 被引量 : 0次 | 上传用户:misswj2009
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在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18μm工艺平台一样的单一刻蚀方法,必须采用以干法刻蚀为主、湿法刻蚀为副,干、湿相结合的方式进行刻蚀。因OTP的数据保持性能与干法刻蚀后有源区表面剩余SAB的量有关,所以SAB干法刻蚀非常关键。实验表明,只要干法刻蚀后有源区表面剩余SAB厚度控制
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