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获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强度.认为经碳注入所引入的杂质C = O复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光.
退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响
【摘 要】
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获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强度.认为经碳注入所引入的杂质C = O复合体是
【机 构】
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山东师范大学物理与电子科学学院,山东大学晶体材料国家重点实验室
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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2004年7期
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