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本文采用传统的高温固相反应法制备Ba0.85Ca0.15Ti0.9Zr0.1O3(BCTZ)陶瓷靶材,并利用脉冲激光沉积(PLD)法,在生长有SrRuO,底电极的SrTiO,(100)衬底上沉积BcTZ(BcTZ/SRO/STO)薄膜。通过对其生长工艺的探索,在沉积温度780℃,氧压13Pa,靶间距48mm,脉冲激光频率2Hz,激光能量200mJ的条件下可获得高择优取向、高结晶度的BCTZ薄膜。在此工艺条件下。制备不同膜厚的BcTZ薄膜。进一步利用x射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、台阶仪、铁