【摘 要】
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利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3（MIT）（x=0.5）单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;
【机 构】
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西北工业大学凝固技术国家重点实验室
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利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3xIn2xTe3（MIT）（x=0.5）单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为单相的高质量单晶体;切割晶面为（311）面,位于θ=23.86°,晶面偏离角Φ=2.9°,取向分散度FWHM=0.3°;晶体的导电类型为n型,电阻率为4.79×102Ω.cm,载流子浓度为2.83×10^13cm^-3,载流子迁移率为4.6×10^2cm^2/
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