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通过基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究硅烷（SiH_4）在Cu（111）,Cu（100）,Cu（110）表面的裂解过程,确定了4个反应步骤的所有反应物、生成物以及中间产物的稳定吸附位置。并且从热力学角度分析每一步反应的驱动力,得出硅烷裂解为放热反应以及硅烷的第一步裂解（SiH_4→SiH_3＋H）最容易发生。因此我们推测在化学气相沉积过程中,在铜表面很难观测到硅烷分子的存在。