【摘 要】
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采用标准难熔栅、离子注入MESFET工艺制作出高性能叉指状金属-半导体-金属(IMSM)探测器和光电接收机,还用这种工艺制作了复杂的数字电路。探测器-前置放大器集成后,观测到的
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采用标准难熔栅、离子注入MESFET工艺制作出高性能叉指状金属-半导体-金属(IMSM)探测器和光电接收机,还用这种工艺制作了复杂的数字电路。探测器-前置放大器集成后,观测到的上升时间为100ps,这说明,小信号带宽约3GHz,观测到的探测器响应度高达0.45A/W,暗电流低至5nA。
High-performance interdigitated metal-semiconductor-metal (IMSM) detectors and optoelectronic receivers are fabricated using standard refractory-gate, ion-implanted MESFET processes and complex digital circuits are also fabricated using this process. The integrated detector-preamplifier integration showed a rise time of 100ps, indicating a small signal bandwidth of about 3GHz, an observed detector responsivity of up to 0.45A / W and a dark current as low as 5nA.
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