【摘 要】
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根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟
【机 构】
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根据电路模拟软件PSPICE内建元器件模型 ,建立了功率MOS器件单粒子栅穿效应的等效电路模型和模型参数提取方法 ,对VDMOS器件的单粒子栅穿效应机理进行了电路模拟和分析 ,模拟结果与文献中的实验数据相符合 ,表明所建立的等效电路模拟方法是可靠的
Based on the built-in component model of PSPICE, the equivalent circuit model and model parameter extraction method of single-element gate-breakdown effect in power MOS device are established, and the single-grain gate-breakdown mechanism of VDMOS device is simulated and analyzed. The results are consistent with the experimental data in the literature, indicating that the established equivalent circuit simulation method is reliable
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