集成电路后段光刻胶去除技术进展

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光刻胶去除是集成电路制造的关键工艺之一。随着集成电路技术的发展,先后出现了铝钨金属连接、铜互联大马士革工艺,尤其是硬掩膜铜互联大马士革工艺的出现,对光刻胶去除工艺提出了极大的挑战。结合图形化工艺技术进展,溶剂类光刻胶去除剂、羟胺类光刻胶去除剂、含氟类半水性光刻胶去除剂、双氧水类水性光刻胶去除剂先后成为市场主流。以集成电路图形化工艺发展为主线,对不同种类光刻胶去除剂进行概括介绍,并分析其优缺点,为中国光刻胶去除技术发展提供借鉴意义。
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