【摘 要】
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研究了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺参数对SiNx及SiOxNy防潮能力的影响,并测试了SiNx/SiOxNy叠层薄膜的水汽渗透速率（WVTR）。实验结果表明:单层SiNx薄膜和SiOxNy薄膜都存
【机 构】
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北京理工大学光电学院; 北京京东方光电科技有限公司;
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61675024)
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研究了等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺参数对SiNx及SiOxNy防潮能力的影响,并测试了SiNx/SiOxNy叠层薄膜的水汽渗透速率（WVTR）。实验结果表明:单层SiNx薄膜和SiOxNy薄膜都存在临界厚度,当膜厚大于临界值时,继续增大厚度不会明显改善薄膜的WVTR。当沉积温度从50℃提高到250℃,SiNx薄膜的WVTR从0.031g/（m2·day）降至0.010g/（m2·day）。SiOxNy沉积时,增大N2O通入量对薄膜的WVTR影响不明显,但可以有效改善薄膜的弯曲性能。最后,4个SiNx/SiOxNy叠层膜的WVTR下降到了4.4×10-4 g/（m2·day）。叠层膜防潮能力的显著提升归因于叠层结构可以有效解耦层与层之间的缺陷,延长水汽渗透路径。
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