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采用电流-电压曲线研究近红外铟镓砷(InGaAs)光敏芯片的暗电流, 并分析了InGaAs光敏芯片暗电流与InGaAs焦平面组件暗信号的关系。结果表明, 温度下降到273 K时, 反向偏压-100 mV时, 扩散电流是光敏芯片暗电流的主要机制, 反向偏压-400 mV时, 产生-复合电流是光敏芯片暗电流的主要机制, 偏压较小时, 界面电流对光敏芯片暗电流贡献增加。光敏芯片各元的暗电流是产生焦平面暗信号的主要原因, 反向偏压3 mV时InGaAs光敏芯片的最小暗电流0.92 pA, 积分时间为50 ms情况下在读出电路输出端上产生了2.87×105电子数, 焦平面对应元的动态范围最大56 dB。同时读出电路CTIA反馈端元与元之间固有差异导致探测器上实际加载上不同的偏压, 也增加了暗信号输出的非均匀。实验表明进一步降低光敏芯片暗电流是提高InGaAs焦平面组件动态范围的重要途径之一。