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SiC具有耐辐射、低感生放射性、耐高温等特点,在先进核能系统中具有重要的应用.用1.5 MeV的Si离子在常温下注入单晶六方SiC和多晶化学气相沉积SiC,注量分别为1×10^14—2×10^16cm^-2和1×10^15—2×10^16cm^-2,利用X射线衍射（XRD）仪和白光干涉仪测量材料的晶格常数和辐照肿胀随着注量增大的变化规律.结果显示：在1.5 MeV Si离子常温辐照下,注量达到2×10^15cm^-2时,单晶六方SiC完全非晶化;注量在1&