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中国科学家在最新一期美国《科学》杂志上发表报告说，已开发出一种新型相变材料，有望将电子产品的存储速度提高约70倍左右。相关成果由中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队取得。宋志棠等人利用含钪、锑、碲的合金材料制造出相变存储器单元（PCRAM），这一新材料的写入速度可达700皮秒（一皮秒相当于一万亿分之一秒）。