【摘 要】
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近日消息,美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆,以满足军用和商用需求。该公司实现了从现有高产量、6英寸砷化镓晶圆生产
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近日消息,美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆,以满足军用和商用需求。该公司实现了从现有高产量、6英寸砷化镓晶圆生产向6英寸氮化镓晶圆生产和研发的转变,以降低成本满足不断增长的氮化镓器件市场需求。RFMD公司总裁兼首席执行官鲍勃称:“我们很高兴在RFMD公司的现有高产量6英寸砷化镓生产线上推出业界首款6英寸碳化硅基氮化镓射频技术。
Recently, the United States Radio Frequency Systems (RFMD) has introduced the world’s first silicon carbide gallium nitride wafer for the manufacture of RF power transistors to meet military and commercial needs. The company achieved a shift from the existing high-volume, 6-inch gallium arsenide wafer production to 6-inch gallium nitride wafer production and research and development to reduce costs to meet the growing gallium nitride device market. ”We are pleased to introduce RFMD’s existing 6-inch Gallium Nitride-based GaN RF technology to the existing high-volume 6-inch GaAs production line," said Bob Bobby, president and CEO of RFMD.
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