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本文基于电致发光(Electroluminescence,EL)的理论,利用红外检测的方法,通过CCD近红外相机实验检测出了晶体硅太阳电池中存在的隐性缺陷,如隐裂、断栅、电阻不均匀、花片等,并将可见光下电池图像与EL图像进行对比。对存在缺陷的太阳电池进行了伏安特性测试,得出隐裂缺陷对太阳电池伏安特性、填充因子、效率等性能的影响,也证明电致发光技术检测太阳电池缺陷的准确性。