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纳米ＧａＮ的制备及ＨＲＥＭ观测张庶元谢毅钱逸泰张裕恒（中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６）ＧａＮ是一种宽能隙的半导体材料，具有制备光电器件的潜在应用价值［１，２］，因而受到日益增长的关注。据文献报道［３］，ＧａＮ具有三种物相，即纤锌...
纳米GaN的制备及HREM观测
【摘 要】
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纳米ＧａＮ的制备及ＨＲＥＭ观测张庶元谢毅钱逸泰张裕恒（中国科技大学结构分析开放研究实验室，合肥２３００２６）ＧａＮ是一种宽能隙的半导体材料，具有制备光电器件的潜在应用价值［１，２］，因而受到日益增长的关注。据文献
【机 构】
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中国科技大学结构分析开放研究实验室
【出 处】
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电子显微学报
【发表日期】
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1996年6期
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