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推导了具有对流效应的化学机械抛光（chemical mechanical polishing，CMP）润滑模型，研究各参数对压力场分布的影响．在此模型基础上，研究了磁流体抛光液在外界磁场作用下的润滑模型，以及外磁场对抛光过程中压力场分布的影响．数值结果表明，具有对流效应的润滑模型的压力分布与已有经验结果更一致，能更为有效地解释CMP过程中的负压现象；进一步通过外界磁场的作用，可以有效地改变磁流体CMP的压力分布，这为实现对晶片的全局抛光提供了一种可供参考的新途径．