硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长

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采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料,材料膜厚达到40 μm以上,生长速率达8 μm/min.然后将该材料分别在真空中/空气气氛中高温致密化处理,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜材料.并利用XRD、电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行了测试分析.
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