研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X射线衍射(XRD)技术，对样品的对称面和非对称面做ω扫描，并且通过倒异空间图(RSM)扫描，拟合得到了刃位错与螺位错密度，并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较，同时结合迁移率的测量结果，发现快速退火温度采用400 ℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性，降低材料中的载流子浓度，同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位，降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时，(
研究了圆柱形空心阴极CuII激光器的紫外特性。测得输出功率与氖的压力及放电电流有关。把分段阴极和电源断开能使放电的激活长度改变，测出阈值和饱和电流与激活介质的长度有关。最低阈值电流为7安培。在每平方厘米0.4安培的电流密度下激光器发射饱和。
利用直径为30 cm卡塞格伦反射镜搭建了一套反射式太赫兹（THz）主动成像装置，并成功运用0.22 THz的辐射源在室温下进行成像。分别使用自行制备的Nb5N6微测热辐射计THz常温检测器和商用VDI检测器进行成像并对结果进行了分析。成像的物体是5根并排排列的铜棒，铜棒直径为1.4 cm，间距为5 cm。改变参考频率，扫描速度，将成像时间从15 s减少到7.5 s。成像的范围约为20 cm×6.5 cm。两种检测器的成像分辨率达到1.41 cm。
据D. R. Scifres等人报道，在GaAs和GaAlAs环形激光器中他们观察到借助光栅进行的光耦合输出。这种装置与所有的二极管环形激光器一样，具有激光阈值低、偏振输出光准直度高的优点。在温度为77 K的情 况下测得激光阈值为700安培/厘米2，输出功率为70毫瓦，这时光的发散度为1°×7°。
简要阐述2 μm激光光源的广泛应用需求,分析掺铥铝酸钇(Tm:YAP)晶体的能级结构和吸收光谱特性,报道了采用激光二极管(LD)端面抽运Tm:YAP晶体的方式,实现室温下2 μm激光的高效输出。在激光二极管输出功率为19 W时, 2 μm连续激光输出功率为6.5 W,光光转换效率达34％,斜率效率为47.5％。经过声光(AO)Q开关进行调制后,在重复频率10 kHz下,获得5.4 W的动态激光输出,激光单脉冲宽度为70 ns,激光二极管输出功率到2 μm激光动态输出功率的转换效率为28％,斜率效率为42％
采用光的矢量衍射理论，研究了0/π圆形相位板不同设计参数对于受激发射损耗（STED）显微镜中抑制光形成中空聚焦光斑聚焦质量的影响，并进行了数值模拟。相关计算结果表明，当采用不同偏振态、不同光强分布的入射光作为STED光，0/π圆形相位板内径的合理取值范围是不同的，而系统所用物镜的数值孔径对于内径的取值影响较小。在各种不同的参数组合下，使用线偏振光和圆偏振光作为入射光时，0/π圆形相位板内径取值范围基本保持一致；当入射光为径向偏振光时，内径取值则相对较大；而当使用切向偏振光时，任何取值均无法在系统焦平面附近
Amplified spontaneous emission (ASE) causes the decrease of the inverted population density and the nonuniformity of gain in slab amplifier for high power laser systems. In this paper, a three dimension model, based on the data in SG-II, in which the resi