【摘 要】
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利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明
【机 构】
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北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室
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利用金属有机化合物气相沉积（MOCVD）在蓝宝石衬底上生长了高阻GaN薄膜。对GaN成核层生长的反应室压力、生长时间和载气类型对GaN缓冲层电学特性的影响进行了分析。实验结果表明,延长GaN成核层的生长时间,降低成核层生长时的反应室压力,载气由H2换为N2都会得到高阻的GaN缓冲层。样品的方块电阻Rs最高为2.49×1011Ω/□。以高阻GaN样品为衬底制备了AlGaN/AlN/GaN结构HEMT器件,迁移率最高达1 230 cm2/（V·s）。
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