【摘 要】
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基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1V电源电压,通过将MOSFET偏置在零温度系数工作点,并结合温度补偿
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基于TSMC40LP工艺设计了一种新颖的温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源。本设计采用全MOSFET设计,工作于1.1V电源电压,通过将MOSFET偏置在零温度系数工作点,并结合温度补偿技术和有源衰减电路,实现在-40℃~125℃内温度变化系数为6.6ppm/℃,低频下电源抑制比为93dB,高频下电源抑制比为56dB,与此同时,利用阻抗调试对环路稳定性进行了补偿。
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