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针对V型火焰实验系统的特点,考察了在三种不同的静电场引入方式,以及在5 V、30 V和150 V三种偏置电压下碳纳米管的定向生长情况。对实验结果进行了SEM、TEM表征,验证了静电场对碳纳米管定向生长的诱导作用,同时发现在一定范围内,随着偏置电压的增大,碳纳米管的准直性生长越明显。
静电场对V型火焰法中碳纳米管定向生长的影响
【摘 要】
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针对V型火焰实验系统的特点,考察了在三种不同的静电场引入方式,以及在5 V、30 V和150 V三种偏置电压下碳纳米管的定向生长情况。对实验结果进行了SEM、TEM表征,验证了静电场
【机 构】
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华北电力大学电站设备状态监测与控制教育部重点实验室
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2011年2期
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