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采用直流磁控溅射方法在Si3N4/Si衬底上淀积了一层55nm的氧化钒薄膜,随后对氧化钒薄膜分别进行不同剂量的O＋和Ar＋注入.O＋具有非常强的化学活性,能够钝化各种电子材料中的缺陷状态,而Ar＋作为一种惰性离子,主要是作为一种对比来研究离子轰击对氧化钒的影响.利用四探针测试设备、扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、拉曼分析（Raman）、傅里叶红外光谱分析（FTIR）、X射线光电子能谱分析（XPS）以及X射线衍射仪（XRD）等表征方法来分析离子注入前后氧化钒薄膜性质的变化.实验结果表明,低