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采用磁控溅射法在STO（001）基片上沉积钙钛矿结构LCMO薄膜，研究了退火温度对LCMO薄膜微结构及电输运特性的影响．研究结果表明，随退火温度的升高，薄膜中氧含量及Mn^4＋／Mn^3＋比逐渐升高，LCMO薄膜中的Mn^4＋／Mn^3＋比与薄膜中的氧含量有关，当氧含量增大时，Mn^4＋／Mn^3＋比相应增大．LCMO薄膜的电阻率随退火温度升高而逐渐减小，而LCMO薄膜的金属-绝缘相变温度随退火温度升高而逐渐升高，经850℃退火处理的LCMO薄膜的金属．绝缘相变温度可达257K．