离子注入型半导体γ辐射探测器

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离子注入探测器在能量分辨率测量上虽然还赶不上面垒型探测器,但在位置灵敏探测上确大有作为,有人还用它做了P-I—N电流型探测器。国外在六十年代后期开始研制工作。国内于七十年代后期也开展了上面两种探测器的研制。八十年代美国ORTEC公司已有商品出售,本文介绍一种在野外较恶劣环境条件下用作剂量测量的(也可用于射线监测的)离子注入γ射线探测器。 Ion implantation detector in the energy resolution measurement can not keep up with the basement detector, but the location of the sensitive detection indeed a great job, it was also used to do it P-I-N current detector. Foreign countries started their research and development in the late 1960s. In the late seventies also carried out the development of the above two detectors. Eighties the United States ORTEC company has the sale of goods, this article describes a field used under the harsh environmental conditions for dose measurement (also can be used for ray monitoring) ion implantation gamma ray detector.
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