【摘 要】
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制造并测试了用分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs双异质结双极型晶体管(DHBJT)。在较宽的集电极电流范围内,基极厚度为0.2μm和0.1μm的器件,共发射极电流增益分别高达325和
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制造并测试了用分子束外延(MBE)生长的AlGaAs/GaAs双异质结双极型晶体管(DHBJT)。在较宽的集电极电流范围内,基极厚度为0.2μm和0.1μm的器件,共发射极电流增益分别高达325和1650。为了获得这样高的电流增益,需要最佳化的和受控制的生长条件。这些高电流增益,与以前用分子束外延生长的晶体管所得到的最好值120相比,使异质结双极晶体管更有希望应用于低功率高速逻辑线路中。
AlGaAs / GaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBJT) grown by molecular beam epitaxy (MBE) was fabricated and tested. In the wide range of collector current, base thickness of 0.2μm and 0.1μm devices, total emitter current gain of up to 325 and 1650 respectively. In order to obtain such a high current gain, optimum and controlled growth conditions are required. These high current gains make heterojunction bipolar transistors more promising for use in low-power, high-speed logic circuits than the best-of-the-kind 120 transistors grown by molecular beam epitaxy.
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