目的电子元器件表面材料的质量是影响电磁屏蔽镀层和封装材料表面结合力的主要因素,封装元件在切割分离过程中侧壁表面粘附的Cu杂质对屏蔽膜的质量有不利影响。为了提高电子封装体的表面质量,提出一种可应用于高精密电子加工领域的新型表面技术——干冰处理技术。方法通过实验设计深入研究干冰技术的关键参量(喷射压力、喷射角度和清洗速度)对电子材料表面杂质去除的影响规律,分析了干冰处理封装材料表面的作用机理,对比了干冰作用与传统去离子水处理所获得的电磁屏蔽膜质量。结果作用机理为干冰的物理冲击和微爆破产生的冲击力将粘附到侧壁上的杂质剥离而去除,实验得到最优作用条件,即在喷射压力为0.2~0.4 MPa,作用速度为40~50 mm/s,喷射角度为40?~70?时,封装元件PCB侧壁表面质量明显改善,表面PCB区域铜杂质的含量由30%降至2%,阻焊层破损率可控,且有效地提高了电磁屏蔽镀层结合力的等级。结论干冰技术工艺操作简单,作业效率高,且在最优工艺参数下无其他不良产生,可作为未来电子元器件制造领域表面处理的技术支撑。