【摘 要】
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研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响。结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用。当Ni-P层为阴极时,电
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研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响。结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用。当Ni-P层为阴极时,电迁移加速了Ni-P层的消耗,即随着电迁移时间的延长,Ni-P层的消耗显著增加;电迁移100h后Ni-P层消耗了5.88μm,电迁移200h后Ni-P层消耗了13.46μm。在Sn/Ni-P的界面上形成了一层Ni2SnP化合物而没有观察到Ni3Sn4化合物的存在,多孔状的Ni3P层位于Ni2SnP化合物与Ni-P层之间。当Ni-P层为阳极时,在电迁移过程中并没有发现Ni-P层的明显消耗,在Sn/Ni-P的界面处生成层状的NiSn化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200h后NiSn层的厚度达到1.81μm。
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