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采用泊松方程一薛定谔方程一流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟.通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高.
偏栅AlxGa1-xN/GaN HEMT的二维模拟与特性分析
【摘 要】
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采用泊松方程一薛定谔方程一流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟.通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除
【机 构】
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中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,清华大学微电子研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2004年期
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