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采用直流磁控溅射工艺，在室温条件下制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜，研究了Al掺杂量和溅射工艺参数等对ZAO薄膜光电性能的影响。结果表明：Al掺杂量和溅射工艺参数均对薄膜的电阻率有显著影响，在Al掺杂质量分数为3％、溅射功率为100W以及Ar压强为1．5Pa的条件下，室温溅射淀积的ZA0薄膜可获得1．4×10^-3 Ω·cm的最小电阻率；Al掺杂量和工艺参数对薄膜的透光率均无明显的影响，薄膜的平均透光率在86～90％，但随Al掺杂量和溅射功率的增加，薄膜的截止吸收边均向短波长方向移动。