【摘 要】
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在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管（Thin Film Transistor,简称TFT）TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比,在进行栅极（Gate）制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低
【机 构】
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重庆京东方光电科技有限公司光刻工程部
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在大尺寸液晶显示器的薄膜晶体管（Thin Film Transistor,简称TFT）TFT工艺技术中,Cu正逐步取代Al作为电极材料。与Al电极制程相比,在进行栅极（Gate）制程时Cu容易发生腐蚀,这会降低产品良率。本文结合ADS（Advanced Super Demension Switch）显示模式下0＋4掩膜板（mask）技术的Gate刻蚀制程和1＋4掩膜版技术Gate光刻胶（Photo Resist,简称PR）剥离制程的Cu腐蚀现象进行分析,结合实验验证,确定Cu腐蚀原因,最终提出改善方案。实
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